FIB/SEM Dual Beam Anlage (Focused Ion Beam)
Bei der FIB/SEM Dual-Beam-Kammer handelt es sich um eine Anlage zur Herstellung von Nanostrukturen unter Verwendung der Focused-Ion-Beam(FIB)-Technologie.
Der Strukturierungsprozess findet im Ultrahochvakuum bei einem Kammerdruck von etwa 1e-10mBar statt und kann mithilfe des eingebauten Raster-Elektronenmikroskops
(REM oder SEM) überwacht werden. Die Kammer beinhaltet zudem den in situ-Magnetotransport-Messplatz [Link], an dem die Nanostrukturen direkt charakterisiert werden
können.
Funktionsweise der FIB-Technologie
Die Strukturierung erfolgt mithilfe des namensgebenden fokussierten Gallium-Ionenstrahls. Aus einem flüssigen Gallium-Reservoir werden Ionen über eine Hochspannung in Richtung Probe beschleunigt und
dabei durch elektrostatische Linsen zu einem Strahl gebündelt, dessen Durchmesser am Probenort ca. 20nm beträgt. Trifft dieser Ionenstrahl auf die Probe so werden dort, neben einer Vielzahl anderer Wechselwirkungen, lokal Atome entfernt.
Da sich der Ionenstrahl über die Probe rastern lässt, ist es möglich nur ausgewählte Bereiche der Probe abzutragen und so beliebige Strukturen herzustellen.
